大家好，關(guān)于0.1nm光刻機是什么概念很多朋友都還不太明白，今天小編就來為大家分享關(guān)于01納米光刻機是什么概念的知識，希望對各位有所幫助！
1、光刻機（MaskAligner)又名：掩模對準曝光機，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù)，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。
2、生產(chǎn)集成電路的簡要步驟：利用模版去除晶圓表面的保護膜。將晶圓浸泡在腐化劑中，失去保護膜的部分被腐蝕掉后形成電路。用純水洗凈殘留在晶圓表面的雜質(zhì)。
意思就是可以制造5nm芯片的機器。光刻機又被稱為掩膜對準曝光機，在芯片生產(chǎn)中用于光刻工藝，而光刻工藝又是生產(chǎn)流程中最關(guān)鍵的一步，所以光刻機又是芯片生產(chǎn)中不可缺少的設(shè)備，總得來說光刻機是用來制造芯片的。5nm是指處理器的制程工藝。(補充：晶體管之間的距離，距離越小晶體管就越多，所以性能就越好。
光刻機（MaskAligner)又名：掩模對準曝光機，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫MaskAlignmentSystem.
Photolithography（光刻）意思是用光來***一個圖形（工藝）；
在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時“復制”到硅片上的過程。
擴展資料：
光刻相關(guān)介紹：
一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。
在傳統(tǒng)光學光刻技術(shù)逼近工藝極限的情況下，電子束光刻技術(shù)將有可能出現(xiàn)在與目前193i為代表的光學曝光技術(shù)及EUV技術(shù)相匹配的混合光刻中，在實現(xiàn)10nm級光刻中起重要的作用。
應該提到的是電子束曝光技術(shù)是推動微電子技術(shù)和微細加工技術(shù)進一步發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)，在微電子、微光學和微機械等微系統(tǒng)微細加工領(lǐng)域有著廣泛的應用前景，而且除電子束直寫光刻技術(shù)本身以外，幾乎所有的新一代光刻技術(shù)所需要的掩模***還是離不開電子束曝光技術(shù)。
參考資料來源：百度百科-光刻
參考資料來源：百度百科-光刻機
光刻納米機中的”納米“指的是產(chǎn)品線條寬度（工藝尺寸）。即光刻機加工的芯片線路尺寸可以達到納米量級，即10^(-19)m，如CPU中的5nm工藝、7nm工藝和14nm工藝。而光的頻率一般在幾百納米，如可見光的波長范圍一般在400nm~700nm。
光刻機又名掩模對準曝光機、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù)，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻機的種類可分為：接觸式曝光、接近式曝光、投影式曝光。
光刻機的工作原理是通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經(jīng)物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上。然后使用化學***顯影，得到刻在硅片上的電路圖。
一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。光刻機的制造和維護需要高度的光學和電子工業(yè)基礎(chǔ)，因此，世界上只有少數(shù)廠家掌握。
光刻機的品牌眾多，根據(jù)采用不同技術(shù)路線的可以歸納成如下幾類：高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種，分辨率通常七納米至幾微米之間，高端光刻機號稱世界上最精密的儀器，世界上已有1.2億美金一臺的光刻機。高端光刻機堪稱現(xiàn)代光學工業(yè)之花，其制造難度之大，全世界只有少數(shù)幾家公司能夠制造。國外品牌主要以荷蘭ASML，日本Nikon和日本Canon三大品牌為主。
關(guān)于0.1nm光刻機是什么概念的內(nèi)容到此結(jié)束，希望對大家有所幫助。
